2022年1月23日  热交换法生产铸造多晶硅的具体工艺流程一般如下：装料→加热→化料→晶体生长→退火→冷却。 （三）非晶硅的生产工艺 要获得非晶态，需要有高的冷却速率，

2021年10月2日  研究者提出了不同的基于碱土金属和二氧化硅反应来制备硅粉的方法，如梁初等 [15] 利用以二氧化硅和碱土金属氢化物为原料，在惰性气体保护下，球磨制备非晶

2024年1月10日  高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合

2007年5月31日  以单晶硅片做成的太阳能电池可作为电源，还可在军事侦察、监视及 追踪设备中用硅为滤光片(红外透镜)，在导弹的自动导向装置中也用硅做红外探测器。 因此金

2022年3月23日  郭晓波 ， 徐明义 ， 杨磊 ， 赵德平 ， 罗倪 展开 摘要： 本发明公开了一种TOPCON N型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法,属于太阳能光伏电池

2022年3月23日  TOPCON N型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法CNA 专利顾如 CNA 发明申请 实质审查 相似度监控 TOPCON

摘要： 太阳能无污染,可再生且取之不尽,用之不竭,是人类未来最重要的能源之一对于太阳能的研究和应用一直是科学界和工程界的热点本文抓住晶体硅太阳能电池背面银电极材料

2022年9月22日  缩颈的存在可以有效集中和消除位错，从而制备出位错含量较低的硅单晶。 上图所示为通过传统的Dash缩颈法来消除热冲击产生位错的过程。 不过，这种方法存在一定的局限：(1) 需要消耗一定的人力和动

2023年9月21日  更细微粉经布袋集成器收集（若所需粉体为D90，可将更细微粉混入旋风收集器得到的石英微粉中），干净气体经引风机排出即可。 硅微粉生产工艺流程步骤： 1 原材料准备：硅微粉的原材料为硅石，需要经过选矿、清洗等环节，确保原料的纯度和化学成分

2022年7月27日  本专利由浙江晶科新材料有限公司申请，公开，本发明公开了一种N型TOPCON晶体硅太阳能电池正银主栅浆料用玻璃粉及其制备方法，属于太阳能光伏电池技术领域，所述玻璃粉包括如下重量百分比的各组分：10～60％PbO/PbO/Pb 专利查询

2020年10月19日  目前，球形或类球形二氧化硅或石英超细粉的制备方法主要包括物理法和化学法，物理法包括机械研磨法、火焰成球法、高温熔融喷射法、等离子体法；化学法主要是气相法、液相法（溶胶一凝胶法、沉淀法、微乳液法）等。 1气相法 气相法二氧化硅（即气

这种方法制得的都是不够纯净的无定形硅，为棕黑色粉末。 晶体硅可以用碳在电炉中还原二氧化硅制得。 工业上生产硅是在电弧炉中还原 硅石 （SiO2含量大于99%）。 使用的还原剂为石油焦和木炭等。 使用直流电弧炉时，能全部用石油焦代替木炭。 石油焦的

2019年1月25日  利用氯气和氢气合成HCl，HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl 3 ，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢 还原炉 被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。 改良西门子法包括五个主要环节：SiHCl 3 合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl 3 的氢还原、尾气的回收和SiCl 4 的

2023年6月19日  为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，包括以下步骤： 1、氮化硅前驱体制备 11、向反应容器中加入溶剂和四氯化硅，控制容器中的温度为－25～35℃，容器内的压强为当前温度氨气刚开始液化的值； 12、

2023年8月25日  形态特征： 硅微粉的形态特征可以根据制备方法和应用需求进行调控。 一般来说，硅微粉呈现为白色或灰色细粉末状，其颗粒形状可以是球形、片状、棒状或纤维状等。硅微粉的形态对于其在不同领域的应用具有重要的影响。

本发明涉及资源再生技术领域，特别是涉及一种太阳能晶体硅切割废浆料回收再利用的方法。背景技术随着社会的发展，以晶体硅太阳能电池为代表的光伏行业得到了飞速的发展，而晶体硅切片是制备晶体硅太阳能电池的重要环节之一，在这一过程中有45%以上的硅料进入切割液中，形成切割废浆料

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池正面用银浆及其制备方法,它是由微米级银粉,玻璃粉,有机载体,添加剂组成该银浆的特点是触变性好适合印刷宽8090μm,高温烧结后高3035μm的栅线;

2020年11月30日  目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、甲烷、乙烯、乙炔和丙烷等，而二甲基二氯硅烷和四

2022年9月7日  如何生产硅粉？高纯度硅粉深加工采用物理方法加工提纯工业硅粉。该技术是用普通的工业硅为生产材料，普通工业硅经物理方法进行工艺处理，采用自动化操作系统控制，达到提高品级、消除杂质、保持硅晶体硬度，结构不发生变化的产品，生产出准高纯硅粉。

n型TOPCon晶体硅太阳能电池具有高转换效率、长寿命、稳定性好等优点，被广泛应用于太阳能发电领域。而其中正银主栅浆料是n型TOPCon晶体硅太阳能电池中重要的材料之一，其制备方法对于电池的性能和稳定性具有重要影响。 本文将介绍一种用玻璃粉制备

2023年3月31日  [0053] 在一种实施方式中，所述具有高可靠性topcon晶体硅太阳电池的正面银铝浆的制备方法如下： [0054] (1)制备有机载体：按照配比，称取有机溶剂、树脂、触变剂，使用高速分散机进行搅拌，直到树脂和触变剂的分子链基本完全舒展溶解在有机溶剂中，得到

2007年5月31日  硅还跟耐火材料一起用作酸性敞口电炉的炉衬，因为在那里由硅氧化而成的硅石可 以增加炉衬的耐火性。 3 金属硅及硅粉的生声方法 1800年间，Berzelius用钾还原氟硅化合物首先制得硅。在1900年间，A．Stock曾试验过热分解硅烷(si— lane)制备纯硅。

一种晶体硅太阳能电池正面银浆用玻璃粉及其制备方法 来自 钛学术 喜欢 0 阅读量： 45 发明人： 林保平 ， 王双华 ， 孙莹 ， 张雪勤 ， 杨洪 摘要：

本发明属于氮化硅镁技术领域。具体涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法。技术背景氮化硅镁具有与氮化铝相似的晶体结构，即由Mg2+和Si4+离子替代Al3+的位置。氮化硅镁材料具有较高的理论热导率，在大功率电器和高速电路的散热和封装材料领域具有较大潜力。在陶瓷材料领域，氮化硅镁主要作为助

所述玻璃粉的平均粒径为15～25μm，所述玻璃粉的玻璃化转变温度为280～550℃。 本发明还提供了一种晶体硅太阳能电池正面银浆用玻璃粉的制备方法，包括以下步骤： 1)按各组分配比称取原料，充分研磨搅拌混合均匀，得到混合料，其中R 2 O通过Li、Na或K的碳酸

2023年7月9日  [0004] 目前，锂离子电池负极材料中，商业化的硅微粉(微米级硅粉)主要通过机械研磨的方法进行制备，通常将硅粉和分散剂高速分散均匀后，加入到研磨机中，在温度为10～60℃的情况下，经过研磨得到硅微粉。 而对于负极材料中用到的非晶硅微粉的制备，主要采用气相沉积的方法。

2022年5月26日  TOPCONN型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法与流程 文档序号： 发布日期： 10:58 阅读： 来源：国知局 导航： X技术 > 最新专利 > 无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术 > TOPCONN型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法与流程

2021年8月16日  讲的是正儿八经的工业硅生产流程，这样就排除了一些形形色色的小众方法了。 第一步：从砂子到粗硅（碳热还原反应） 通常是在石墨电弧炉中进行，将石英岩（或沙子）与焦炭、煤及木屑等混合，加热到1500到2000摄氏度时进行碳热还原反应。

2022年5月26日  topcon n型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 技术领域 1本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体涉及一种topcon n型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法。 背景技术： 2太阳能电池组件是新能源产业中重要的产品之一。

摘要： 太阳能无污染,可再生且取之不尽,用之不竭,是人类未来最重要的能源之一对于太阳能的研究和应用一直是科学界和工程界的热点本文抓住晶体硅太阳能电池背面银电极材料这一技术难点,重点研究了晶体硅太阳能电池用银粉的制备方法以及银粉的性能对背面银浆性能的影响利用液相化学还原

本文将介绍一种用玻璃粉制备正银主栅浆料的方法，以提高n型topcon晶体硅太阳能电池的效率和稳定性。 1制备玻璃粉：将适量的硅酸钠和硅酸铝溶解在水中，加热至1000℃以上，形成玻璃熔体，然后将熔体冷却并研磨成粉末。

2024年2月29日  晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相传输法 (Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法 (High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法 (Liquid Phase Epitaxy)等。 物理气相

2023年6月13日  26、在一种优选的实施方式中，非金属氧化物为sio2，用量为玻璃粉用量的35％，氧化硅中的硅氧四面体增加了玻璃整体结构的稳定性，降低其热膨胀系数，适量添加可提高玻璃的粘度和表面张力，但是氧化硅的过度添加会导致玻璃对硅基体浸润效果的降低。

2022年11月4日  48实施例3 49一种晶体硅生产用废旧石英坩埚综合回收利用方法，包括以下步骤： 50s1：选取晶体硅生产用废旧石英坩埚，进行破碎、研磨和筛分等预处理，粒度范围控制在80目120目，筛分后获得废旧石英坩埚粉；51s2：将s1中获得的废旧石英坩埚粉进

2024年1月10日  半导体 制造工艺 碳化硅 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、

2021年11月11日  目前企业最常用的方法是热交换法生产多晶硅。 热交换法生产铸造多晶硅的具体工艺流程一般如下：装料→加热→化料→晶体生长→退火→冷却。 非晶硅的生产工艺 要获得非晶态，需要有高的冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定。 硅要求有极高

2023年8月14日  SiC衬底制备困难导致高成本。SiC衬底生产流程与硅基类似，晶体为流程核心：1）原料合成晶体生长。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在2000℃以上的高温下反应合成SiC颗粒。经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度SiC微粉

2022年1月22日  4还有必要提出一种利用硅泥制备晶体硅的方法的装置。5一种利用硅泥制备晶体硅的方法，包括如下步骤：步骤一：收集硅泥，所述硅泥由晶体硅经切割产生，对所述硅泥干燥处理，得到第一硅粉；步骤二：将第一硅粉利用气流分级进行粗细分离，分离出细的第

2023年5月19日  天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。 该发

2020年8月21日  碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热

2022年11月1日  中文文献 外文文献 1 TOPCON N型晶体硅太阳能电池正银浆料用玻璃粉及其制备方法 [P] 中国专利： CNA 2 一种晶体硅太阳能电池主副栅线分离印刷正银浆料组合及其制备方法 [P] 中国专利： CNA 3

2023年5月19日  目前商业化生产的高纯SiC粉体原料纯度一般只能达到99999％的纯度，其中的氮含量大都在5×10 16 个/cm 3 以上的水平，严重影响其后续产品——高纯半绝缘碳化硅单晶中的氮含量。因此，降低粉体原料中氮杂质含量，对于制备高纯半绝缘碳化硅晶体具有重

2012年3月27日  1多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用

2024年3月1日  晶体硅太阳能电池用银粉的制备及其对背面银浆性能的影响pptx 0102 03 04 05 纯度：银粉应 具有较高的纯 度，以减少杂 质对电池性能 的影响 粒径：银粉的 粒径应适中， 过大或过小都 会影响电池的 性能 形状：银粉的 形状应均匀， 以利于电池的 均匀性 导电

2019年10月16日  中国粉体网讯 高纯二氧化硅是一种性能较好的硅材料，具有良好的物理性质，例如抗划伤、耐高温、耐腐蚀等，主要应用在高科技领域，用来制备石英玻璃、集成电路板、光纤通讯、多晶硅以及光学仪器等。 近些年来，由于高纯二氧化硅在电子封装领域的广泛应用极大地提升了其市场价值，当纯度

2019年2月26日  所述的perc晶体硅太阳能电池背银浆用无铅玻璃粉的制备方法，其特征在于步骤4）中粗粉、氧化锆球石与去离子水的质量比为1:2:15。所述的perc晶体硅太阳能电池背银浆用无铅玻璃粉的制备方法，其特征在于步骤4）中球磨时间为46h，转速

2022年12月1日  而球形硅微粉的制备难度极大，仅有少数国家拥有这项技术。为在高端市场上占据更多份额，我国很多企业开始将目光瞄准球形硅微粉上，相关技术也不断提升[2]。03 球形硅微粉制备工艺 目前国内外制备球形硅微粉的方法有物理法和化学法。